Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs are offered in SuperSO8 and PQFN 3.3 x 3.3 packages, while optimized for high-switching-frequency applications such as telecom and solar, where losses are associated with charges (switching) and on-state resistance (conduction). Additionally, due to the best-in-class R_DS(on) and wider safe operating area (SOA), the device is also ideal for battery-powered applications (BPA) and battery management systems (BMS).

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.823 8.752En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	8.752En existencias	Cinta cortada $1.823 $861 $767 $603 Ver Envase tipo carrete $469 $598 $558 $469	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V for motor control and battery protection applications IPT014N10NM8ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.929 485En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPT014N10NM8ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-PT014N10NM8ATMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V for motor control and battery protection applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	485En existencias	Cinta cortada $5.929 $3.085 $2.811 $2.503 $2.492 Envase tipo carrete $2.361	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	331 A	1.38 mOhms	20 V	3.2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.631 362En existencias 75.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC022N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	362En existencias 75.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC022N10NM6ATMA1 Existencias: 362 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 35.000 Se espera el 02-12-2026 20.000 Se espera el 18-03-2027 20.000 Se espera el 02-09-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $7.631 $4.425 $3.371 $3.107 Envase tipo carrete $2.525 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	230 A	2.24 mOhms	20 V	3.3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.238 35En existencias 20.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	35En existencias 20.000En pedido	Cinta cortada $4.238 $2.514 $1.987 $1.713 $1.548 Envase tipo carrete $1.438 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	179 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.206 168En existencias 70.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC060N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	168En existencias 70.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC060N10NM6ATMA1 Existencias: 168 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25.000 Se espera el 22-10-2026 15.000 Se espera el 05-11-2026 30.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $3.206 $1.834 $1.427 $1.164 Ver Envase tipo carrete $960 $1.085 $1.053 $960 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	97 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.767 31En existencias 20.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	31En existencias 20.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC080N10NM6ATMA1 Existencias: 31 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10.000 Se espera el 03-12-2026 10.000 Se espera el 11-02-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.767 $1.559 $1.219 $1.015 Ver Envase tipo carrete $755 $966 $904 $755 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.05 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 330En existencias 59.587En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	330En existencias 59.587En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC230N10NM6ATMA1 Existencias: 330 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 19.587 Se espera el 29-10-2026 40.000 Se espera el 03-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.119 $1.197 $878 $730 Ver Envase tipo carrete $489 $684 $628 $489 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.930 19.290En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC027N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	19.290En pedido	Cinta cortada $4.930 $2.525 $2.295 $1.943 Envase tipo carrete $1.823 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	192 A	2.7 mOhms	20 V	3.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.229 110.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	110.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ080N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 25.000 Se espera el 15-04-2027 30.000 Se espera el 13-05-2027 25.000 Se espera el 20-05-2027 30.000 Se espera el 01-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.229 $1.067 $927 $760 Ver Envase tipo carrete $615 $756 $752 $615 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.04 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

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