Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
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881En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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1.034En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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652En existencias
3.000Se espera el 25-01-2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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692En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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513En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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182En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
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2.000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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287En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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850En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
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1.362En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
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385En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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851En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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23En existencias
1.200Se espera el 07-09-2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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579En existencias
1.800Se espera el 07-09-2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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580En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1.050En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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600Se espera el 11-06-2027
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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600En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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519En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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61En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7