U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W 18.756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 20 V 700 mA 500 mOhms 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A 92.035En existencias
213.000Se espera el 22-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 17.6 mOhms 8 V 300 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 97.526En existencias
60.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 127.697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 155.045En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A 34.273En existencias
6.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 10 A 40.1 mOhms 10 V 1 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 11.349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 11.421En existencias
48.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W 630En existencias
10.000Se espera el 28-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1 A 370 mOhms 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch 7.535En existencias
24.000Se espera el 27-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.25W 1.330En existencias
4.000Se espera el 11-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms 10 V 1 V + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.285W
6.000Se espera el 28-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms 10 V 1 V + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel