Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS


onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1.602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1.042En existencias
1.500Se espera el 03-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 113En existencias
16.500Se espera el 05-01-2028
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 122En existencias
43.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 1.500

onsemi Controladores de puertas VR12 MOSFET DRIVER 2.969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

onsemi Controladores de puertas VR12.5 MOSFET DRIVER 652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 5En existencias
16.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630
: 1.500

onsemi Controladores de puertas VR12 MOSFET DRIVER 496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
33.673En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000
: 2.000

onsemi Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación EFUSE 4 CHANNEL 48V 2.5A
4.182Se espera el 03-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 5.000