iS20M028S1C-7SR

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1C-7SR
iS20M028S1C-7SR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Ciclo de vida:
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iDEAL Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
200 V
45 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
SuperQ
Reel
Cut Tape
Marca: iDEAL Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 14 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 28 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9.3 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Product Catalogs

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET is designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFET features ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFET supplies superior RDS(on) and QSW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.

En existencias: 99

Existencias:
99
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En pedido:
200
Se espera el 12-08-2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.839 $3.839
$2.503 $25.030
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$1.746 $174.600
$1.462 $731.000
$1.357 $1.357.000
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