UJ3C SiC FETs

onsemi UJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection. 

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
339En existencias
1.000Se espera el 13-11-2026
$30.293
$24.255
$20.985
$18.536
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
674En existencias
$13.774
$7.576
$7.565
$7.041
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
493En existencias
$30.772
$18.650
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
382En existencias
$41.766
$31.057
$29.052
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
590En existencias
$23.674
$14.776
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
1.070En existencias
$23.959
$14.378
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
327En existencias
$24.130
$14.514
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
Hoja de datos
224En existencias
1.200Se espera el 16-11-2026
$15.733
$8.784
$8.362
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
97En existencias
4.000En pedido
$12.589
$8.784
$7.326
$6.528
$6.084
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
160En existencias
Cinta cortada
$13.067
$9.456
$7.872
$7.018
Envase tipo carrete
$6.562
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET