700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETs feature a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The 700V are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The latest 700V CoolMOS P7 are an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets like chargers, adapters, lighting, TVs and more. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4.850En existencias
$1.948
$922
$821
$654
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4.603En existencias
Cinta cortada
$1.128
$516
$456
$351
Envase tipo carrete
$272
$239
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1.649En existencias
$2.290
$1.098
$982
$805
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 56.328En existencias
$1.868
$882
$785
$644
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 600 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7.574En existencias
500En pedido
$2.905
$1.413
$1.299
$1.031
$839
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 32.658En existencias
Cinta cortada
$1.196
$550
$486
$375
Envase tipo carrete
$295
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 29En existencias
25.000En pedido
Cinta cortada
$1.686
$834
$617
$504
$480
Envase tipo carrete
$387
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3.505En existencias
9.000Se espera el 19-11-2026
Cinta cortada
$1.105
$507
$448
$343
Envase tipo carrete
$251
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
219.929En pedido
Cinta cortada
$1.960
$1.071
$811
$660
$619
Envase tipo carrete
$474
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 59.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
5.898Se espera el 04-01-2027
Cinta cortada
$1.481
$692
$614
$477
Envase tipo carrete
$376
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 6.9 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12.477Se espera el 06-05-2027
Cinta cortada
$1.344
$714
$546
$448
$424
Envase tipo carrete
$325
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
14.898Se espera el 13-05-2027
Cinta cortada
$1.868
$878
$767
$613
Envase tipo carrete
$488
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2.500Se espera el 13-05-2027
$2.324
$1.113
$992
$785
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube