SIH Series MOSFETs

Vishay / Siliconix SIH Series MOSFETs offer 4th generation E series technology in a standard TO package. The devices supply a 30% reduction in conduction losses, increased power density, and higher efficiencies. The Vishay / Siliconix SIH series MOSFETs are designed for power supplies, including Switch Mode (SMPS), Power Factor Correction (PFC), and server/telecom.

Resultados: 21
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-223 74.628En existencias
$1.173
$539
$476
$367
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 1.2 Ohms 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 8.025En existencias
$1.538
$721
$640
$499
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 20.795En existencias
$1.435
$887
$583
$459
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V 1.767En existencias
Cinta cortada
$5.799
$3.008
$2.734
$2.415
Envase tipo carrete
$2.392
$2.267
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V 1.990En existencias
Cinta cortada
$11.484
$6.346
$5.981
$5.844
Envase tipo carrete
$5.548
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 4.698En existencias
Cinta cortada
$1.629
$766
$680
$531
Envase tipo carrete
$473
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V 1.581En existencias
Cinta cortada
$8.567
$5.731
$4.614
$4.101
Envase tipo carrete
$3.680
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V 1.886En existencias
Cinta cortada
$11.097
$7.576
$6.255
$5.571
Envase tipo carrete
$5.218
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-223 11.601En existencias
32.500Se espera el 28-12-2026
Cinta cortada
$1.424
$664
$589
$457
$444
Envase tipo carrete
$393
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 500 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 6.883En existencias
$1.379
$641
$568
$440
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) 2.249En existencias
$1.891
$1.173
$767
$603
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 2.623En existencias
$1.982
$940
$839
$660
$659
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.8 A 600 mOhms 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 3.316En existencias
$1.777
$1.096
$722
$567
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1.600Se espera el 21-05-2027
Cinta cortada
$2.279
$1.091
$975
$727
Envase tipo carrete
$638
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 6.5 A 800 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
$957
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
$893
$881
$843
$842
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 19 A 200 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
$508
$492
$488
$480
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Envase tipo carrete
$539
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Envase tipo carrete
$532
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
$1.322
$813
$535
$420
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Envase tipo carrete
$875
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel