Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1.445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 26.530En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 45.875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 9.591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 42.112En existencias
96.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.8A N-Channel MOSFET 6.273En existencias
35.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 2.000
: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 3.8A MOSFET 4.401En existencias
13.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 1.000
: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A 9.228En existencias
Min.: 1
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Máx.: 320
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS 18.293En existencias
Min.: 1
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Máx.: 410
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS 7.818En existencias
9.000Se espera el 21-01-2027
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Chnl UMOS 14.428En existencias
Min.: 1
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Máx.: 1.000
: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 9.9A P-CHANNEL 2.808En existencias
Min.: 1
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Máx.: 430
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 Volt 3.0A 19.758En existencias
165.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Channel 5.7A MOSFET 6.161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ 11.665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ 4.847En existencias
14.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 1.030
: 1.000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family SOT23 T&R 3K 73.621En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 431.213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10.000
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K 26.600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss 7.997En existencias
10.000Se espera el 05-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 20V 13.627En existencias
18.000Se espera el 21-05-2027
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 15.959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.130
: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 14.540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss 6.365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 16.851En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF 15.345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.470
: 10.000