Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1.445
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Hoja de datos
13.248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
10.486En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 160
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
Hoja de datos
16.988En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 220
: 1.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
Hoja de datos
9.572En existencias
7.500Se espera el 15-01-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
Hoja de datos
76.810En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
Hoja de datos
72.514En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1.130
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.
Hoja de datos
19.788En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
8.550En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
45.587En existencias
24.000Se espera el 18-09-2026
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V
Hoja de datos
5.684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 4.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
Hoja de datos
756En existencias
2.500Se espera el 28-09-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
6.242En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
Hoja de datos
18En existencias
5.000Se espera el 15-01-2027
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Min.: 1
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: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
Hoja de datos
285En existencias
5.000Se espera el 21-04-2027
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Min.: 1
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: 2.500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
Hoja de datos
8En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA
Hoja de datos
224En existencias
3.000Se espera el 19-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V
Hoja de datos
757En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V
Hoja de datos
1.935En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
Hoja de datos
47En existencias
3.000Se espera el 19-02-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
7.208En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V
Hoja de datos
17En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
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555En existencias
14.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W
Hoja de datos
462En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
62En existencias
6.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000