Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 609.596En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4.291En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 2.070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 110.886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current 15.965En existencias
56.000Se espera el 14-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 11.900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 41.567En existencias
6.000Se espera el 24-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 42.319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 36.691En existencias
30.000Se espera el 24-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 14.763En existencias
3.000Se espera el 04-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 1.316En existencias
6.000Se espera el 07-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q 15.023En existencias
27.000Se espera el 27-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 10.167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 2.079En existencias
3.000Se espera el 28-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 12.738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 1.858En existencias
6.000Se espera el 25-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 1.329En existencias
6.000Se espera el 26-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 2.781En existencias
3.000Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
196.611En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
254.750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6.000
Mult.: 6.000
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2