iS20M6R3S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M6R3S1P
iS20M6R3S1P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
iDEAL Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
172 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
Tube
Marca: iDEAL Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 47 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 20
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 48.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22.4 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS20M6R3S1P power MOSFET offers low switching losses, switching charge (QSW), and capacitive stored energy (EOSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. Typical applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

En existencias: 97

Existencias:
97
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1.000
Se espera el 04-09-2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.940 $7.940
$4.470 $44.700
$4.091 $409.100
$3.450 $1.725.000
$3.166 $3.166.000
10.000 Presupuesto