Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.746 8.772En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	8.772En existencias	Cinta cortada $1.746 $825 $735 $577 Ver Envase tipo carrete $449 $573 $534 $449	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.060 110En existencias 20.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	110En existencias 20.000En pedido	Cinta cortada $4.060 $2.408 $1.904 $1.641 $1.483 Envase tipo carrete $1.378 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	179 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.060 168En existencias 40.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC060N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	168En existencias 40.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC060N10NM6ATMA1 Existencias: 168 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25.000 Se espera el 24-09-2026 10.000 Se espera el 15-10-2026 5.000 Se espera el 05-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $3.060 $1.514 $1.346 $1.094 $1.062 Envase tipo carrete $806 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	97 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.608 61En existencias 20.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	61En existencias 20.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC080N10NM6ATMA1 Existencias: 61 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10.000 Se espera el 29-04-2027 10.000 Se espera el 01-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.608 $1.273 $1.136 $898 Ver Envase tipo carrete $714 $874 $846 $714 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.05 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.988 330En existencias 59.587En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	330En existencias 59.587En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC230N10NM6ATMA1 Existencias: 330 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 19.587 Se espera el 29-10-2026 40.000 Se espera el 04-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $1.988 $1.209 $841 $678 Ver Envase tipo carrete $455 $635 $584 $455 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.309 80.864En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC022N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	80.864En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC022N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 864 Se espera el 15-10-2026 60.000 Se espera el 28-01-2027 20.000 Se espera el 04-02-2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $7.309 $4.238 $3.229 $2.976 Envase tipo carrete $2.419 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	230 A	2.24 mOhms	20 V	3.3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.722 19.790En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC027N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	19.790En pedido	Cinta cortada $4.722 $2.419 $2.198 $1.861 Envase tipo carrete $1.746 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	192 A	2.7 mOhms	20 V	3.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.135 110.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	110.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ080N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 20.000 Se espera el 15-04-2027 5.000 Se espera el 29-04-2027 30.000 Se espera el 13-05-2027 25.000 Se espera el 20-05-2027 30.000 Se espera el 01-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.135 $1.022 $888 $728 Ver Envase tipo carrete $589 $725 $720 $589 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.04 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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