Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

SIHG068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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852En existencias

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SIHG068N60EF-GE3

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78-SIHG068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

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$4.049

$3.702

$3.102

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N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.567
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SIHA186N60EF-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

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$1.567

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

193 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

SIHF068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.997
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

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N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

SIHP105N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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$6.920

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$3.355

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

88 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

SIHP186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
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SIHP186N60EF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

225 mOhms

30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

SIHH125N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
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SIHH125N60EF-T1GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

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Envase tipo carrete

$3.471

MouseReel Disponible

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

109 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

SIHH186N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.755
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SIHH186N60EF-T1GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

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$2.755

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

168 mOhms

30 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.608
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SIHP125N60EF-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

109 mOhms

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5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

SIHK045N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $10.075
5.044En existencias
2.000Se espera el 15-02-2027

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SIHK045N60EF-T1GE3

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78-SIHK045N60EF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

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$10.075

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$5.606

$5.090

$4.890

Envase tipo carrete

$4.890

MouseReel Disponible

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Máx.: 2.000

: 2.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66 A

12.5 mOhms

20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

SIHG039N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $11.800
373En existencias
500Se espera el 05-10-2026

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SIHG039N60EF-GE3

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500Se espera el 05-10-2026

$11.800

$7.888

$7.204

$6.542

$5.490

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Máx.: 1.000

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

40 mOhms

30 V

3 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

SIHH070N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: $8.582
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SIHH070N60EF-T1GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

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Cinta cortada

$8.582

$5.206

$4.480

$4.112

$3.555

Envase tipo carrete

$3.166

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

71 mOhms

30 V

5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.825
733En existencias

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SIHP068N60EF-GE3

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Vishay Semiconductors

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733En existencias

$7.825

$5.132

$3.776

$3.355

$3.008

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.500
415En existencias

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SIHA105N60EF-GE3

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78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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415En existencias

$5.500

$2.850

$2.598

$2.166

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

SIHD186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.859
69En existencias
3.000Se espera el 21-09-2026

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SIHD186N60EF-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

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69En existencias

3.000Se espera el 21-09-2026

$4.859

$2.482

$1.967

$1.630

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Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

201 mOhms

30 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

SIHG125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.468
353En existencias

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SIHG125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

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353En existencias

$6.468

$3.407

$3.113

$2.692

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $5.006
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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332En existencias

$5.006

$2.577

$1.925

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

SIHK125N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.699
1.375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N60EFT1GE3

Vishay Semiconductors

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1.375En existencias

Cinta cortada

$6.699

$3.660

$3.239

$2.934

$2.755

Envase tipo carrete

$2.493

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35.4 A

2.3 mOhms

30 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB055N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.793
2.000En pedido

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SIHB055N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB055N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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2.000En pedido

$7.793

$5.216

$4.196

$3.734

$3.302

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-4

N-Channel

1 Channel

600 V

46 A

55 mOhms

30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

SIHB068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.499
2.000Se espera el 23-04-2027

N.º de artículo del Fabricante
SIHB068N60EF-GE3

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78-SIHB068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

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2.000Se espera el 23-04-2027

$7.499

$4.627

$3.849

$3.145

$3.008

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

SIHB125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.152
1.000Se espera el 02-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

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1.000Se espera el 02-11-2026

$6.152

$4.028

$3.008

$2.524

$2.345

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.606
953Se espera el 21-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

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78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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953Se espera el 21-12-2026

$4.606

$2.398

$2.177

$1.788

Ver

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

SIHA125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1.000: $2.419
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N.º de artículo del Fabricante
SIHA125N60EF-GE3

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78-SIHA125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

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1.000Existencias disponibles

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$2.419

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Mult.: 1.000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

4th Generation EF Series MOSFETs

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