MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800En existencias
$13.428
$9.717
$8.092
$7.433
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Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 25-11-2026
$14.164
$10.354
$8.992
$7.795
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 25-11-2026
$14.032
$10.255
$8.915
$7.730
$7.587
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Se espera el 14-04-2027
$11.199
$7.916
$6.588
$5.874
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599Se espera el 14-04-2027
$12.143
$7.774
$6.752
$6.072
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Se espera el 14-04-2027
$10.200
$6.972
$5.742
$5.116
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
583Se espera el 14-04-2027
$11.133
$6.961
$6.006
$5.358
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 14-04-2027
$11.792
$6.555
$6.050
$5.160
$5.149
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 14-04-2027
Cinta cortada
$9.289
$5.040
$4.633
$3.755
Envase tipo carrete
$3.700
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 14-04-2027
$17.414
$10.057
$9.355
$8.443
$8.432
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 02-12-2026
$13.681
$10.189
$8.487
$7.565
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 07-12-2026
$14.614
$10.738
$9.366
$8.103
$7.960
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 09-12-2026
Cinta cortada
$12.594
$7.038
$6.774
$5.534
Envase tipo carrete
$5.523
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 07-12-2026
$12.528
$8.136
$7.071
$6.368
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Se espera el 02-12-2026
Cinta cortada
$11.539
$6.401
$6.050
$4.941
Envase tipo carrete
$4.941
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 09-12-2026
$11.397
$7.246
$6.291
$5.556
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Se espera el 14-04-2027
$18.094
$10.485
$9.761
$8.871
$8.860
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement