Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
Hoja de datos
3.115En existencias
$4.124
$1.971
$1.686
$1.424
$1.413
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
Hoja de datos
1.322En existencias
$7.041
$3.532
$3.213
$2.757
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
Hoja de datos
649Se espera el 23-12-2026
$32.971
$23.765
$20.735
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
Hoja de datos
300Se espera el 31-05-2027
$27.844
$19.379
$18.160
$14.856
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 110 Rds
Hoja de datos
350Se espera el 25-01-2027
$11.165
$6.163
$5.662
$5.434
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube