GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Frecuencia de trabajo máxima
Frecuencia de trabajo mínima
Tecnología
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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Más información disponible

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C 15 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 200
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C 9.6 GHz 8.4 GHz GaN
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 9.6 GHz 7.9 GHz GaN