Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 119

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.029
159En existencias
10.000Se espera el 25-03-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

159En existencias

10.000Se espera el 25-03-2027

Cinta cortada

$3.029

$1.956

$1.346

$1.083

$1.015

Envase tipo carrete

$948

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.283
1.558En existencias
2.500Se espera el 01-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1.558En existencias

2.500Se espera el 01-10-2026

Cinta cortada

$1.283

$594

$512

$408

Envase tipo carrete

$323

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.598
196En existencias
10.000Se espera el 31-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

196En existencias

10.000Se espera el 31-12-2026

Cinta cortada

$2.598

$1.273

$1.136

$906

$878

Envase tipo carrete

$778

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.303
1.368En existencias
2.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1.368En existencias

2.500En pedido

Cinta cortada

$2.303

$1.115

$992

$788

$725

Envase tipo carrete

$650

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.439
6En existencias
2.500Se espera el 18-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

6En existencias

2.500Se espera el 18-02-2027

Cinta cortada

$3.439

$2.051

$1.557

$1.315

$1.220

Envase tipo carrete

$1.104

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $7.067
46En existencias
3.000Se espera el 17-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

46En existencias

3.000Se espera el 17-09-2026

Cinta cortada

$7.067

$4.238

$3.407

$2.997

$2.797

Envase tipo carrete

$2.745

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.683
1.374En existencias
9.000Se espera el 03-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1.374En existencias

9.000Se espera el 03-12-2026

Cinta cortada

$1.683

$933

$688

$540

$497

Envase tipo carrete

$395

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.357
430En existencias
9.000Se espera el 26-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

430En existencias

9.000Se espera el 26-11-2026

Cinta cortada

$1.357

$840

$552

$449

$394

Envase tipo carrete

$322

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.041
4.613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4.613En existencias

Cinta cortada

$1.041

$476

$421

$324

Envase tipo carrete

$251

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $968
1.465En existencias
12.000Se espera el 22-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1.465En existencias

12.000Se espera el 22-10-2026

Cinta cortada

$968

$442

$389

$299

Envase tipo carrete

$231

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

3 A

1.64 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.209
1.534En existencias
24.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1.534En existencias

24.000En pedido

Cinta cortada

$1.209

$663

$490

$383

$368

Envase tipo carrete

$257

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.599
432En existencias
75.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

432En existencias

75.000En pedido

Cinta cortada

$1.599

$887

$654

$512

$469

Envase tipo carrete

$361

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.100
358En existencias
25.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

358En existencias

25.000En pedido

$6.100

$3.197

$2.913

$2.461

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.659
499En existencias
500Se espera el 04-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

499En existencias

500Se espera el 04-02-2027

$4.659

$2.387

$2.166

$1.767

$1.725

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.513
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

644En existencias

$3.513

$1.756

$1.525

$1.273

$1.167

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.563
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

272En existencias

$5.563

$2.819

$2.577

$2.198

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.350
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

47En existencias

$9.350

$5.805

$4.680

$4.238

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.425
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

$7.425

$3.849

$3.523

$2.997

$2.987

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.333
455En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

455En existencias

$4.333

$2.419

$2.230

$1.861

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.859
113En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

113En existencias

$4.859

$2.429

$2.219

$1.851

$1.830

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.924
1En existencias
500Se espera el 12-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

500Se espera el 12-11-2026

$2.924

$1.683

$1.294

$1.045

$907

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.682
8.876En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

8.876En pedido

$2.682

$1.304

$1.167

$917

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.314
7.000Se espera el 14-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

7.000Se espera el 14-09-2026

$2.314

$1.125

$996

$794

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.261
10.118En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

10.118En pedido

Cinta cortada

$2.261

$1.094

$972

$771

$728

Envase tipo carrete

$605

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.178
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3En existencias

Cinta cortada

$1.178

$546

$484

$373

Envase tipo carrete

$299

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

740 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W