Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET
2.107En existencias
$3.213
$2.073
$1.424
$1.162
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
8.751En existencias
$3.065
$1.777
$1.379
$1.134
$1.003
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 849En existencias
$4.796
$2.438
$2.210
$1.811
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Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 3.342En existencias
$4.591
$2.336
$2.119
$1.732
$1.720
Min.: 1
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Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
8.976En existencias
$3.498
$2.039
$1.504
$1.413
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 11.018En existencias
$4.329
$2.336
$1.960
$1.629
$1.344
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
2.897En existencias
$3.463
$1.982
$1.641
$1.344
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
13.416En existencias
5.000Se espera el 17-05-2027
$3.042
$1.948
$1.515
$1.333
$1.242
Min.: 1
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Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 12.360En existencias
$3.213
$1.903
$1.458
$1.344
$1.253
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
775En existencias
2.000Se espera el 10-09-2027
$3.133
$1.538
$1.379
$1.230
$1.110
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp 718En existencias
Cinta cortada
$5.093
$2.609
$2.358
$1.846
Envase tipo carrete
$1.287
$1.242
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V 744En existencias
Cinta cortada
$4.637
$3.042
$2.130
$1.846
Envase tipo carrete
$1.663
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 84En existencias
2.400Se espera el 16-08-2027
Cinta cortada
$3.703
$2.381
$1.641
$1.561
Envase tipo carrete
$1.401
$1.310
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 1.027En existencias
Cinta cortada
$4.318
$2.825
$1.971
$1.527
Envase tipo carrete
$1.527
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 235En existencias
$4.865
$3.190
$2.381
$1.994
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube