Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

FQD18N20V2TM
onsemi
1: $2.303
21.961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD18N20V2TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD18N20V2TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Hoja de datos

21.961En existencias

Cinta cortada

$2.303

$1.462

$989

Envase tipo carrete

$989

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
onsemi
1: $1.946
30.059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD19N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD19N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

30.059En existencias

Cinta cortada

$1.946

$1.220

$806

Envase tipo carrete

$806

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

15.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB34P10TM
onsemi
1: $4.691
9.214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB34P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

9.214En existencias

Cinta cortada

$4.691

$3.071

$2.293

$1.914

Envase tipo carrete

$1.777

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

33.5 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

FQD2N60CTM
onsemi
1: $1.830
4.368En existencias
7.500Se espera el 04-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

Hoja de datos

4.368En existencias

7.500Se espera el 04-08-2026

Cinta cortada

$1.830

$1.125

$747

$587

Envase tipo carrete

$587

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.9 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

FQD7P20TM
onsemi
1: $2.177
10.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD7P20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD7P20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Hoja de datos

10.719En existencias

Cinta cortada

$2.177

$1.367

$903

$716

Envase tipo carrete

$716

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 610

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

5.7 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: $1.599
15.246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

15.246En existencias

Cinta cortada

$1.599

$989

$651

Envase tipo carrete

$651

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

FQPF19N20C
onsemi
1: $2.787
3.756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQPF19N20C

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF19N20C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

Hoja de datos

3.756En existencias

$2.787

$1.788

$1.209

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

19 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: $2.766
4.593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos

4.593En existencias

Cinta cortada

$2.766

$1.777

$1.209

Envase tipo carrete

$1.209

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270

: 3.000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

150 V

3 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

FQAF11N90C
onsemi
1: $6.184
250En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
FQAF11N90C

N.º de artículo de Mouser
512-FQAF11N90C

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

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Hoja de datos

250En existencias

$6.184

$3.513

$3.502

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7.2 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

QFET

Tube

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