Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 230
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB85ENEA/SOT1220/SOT1220 8.814En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M12-40E/SOT1210/mLFPAK 4.347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 15.8 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M45-40E/SOT1210/mLFPAK 3.072En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D 2.767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5 mOhms, 5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK 2.556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 6.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K32-100E/SOT1205/LFPAK56D 1.994En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 26 A 26.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D 1.384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 26.7 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M5R2-30E/SOT1210/mLFPAK 2.643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 4.1 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK 7.627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-60E/SOT1205/LFPAK56D 1.499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9 mOhms, 9 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M19-60E/SOT1210/mLFPAK 2.859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 17 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 13.8 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK 1.300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK 705En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 169 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K3R7-40N/SOT1205/LFPAK56D 1.466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 3.7 mOhms 20 V 3.6 V 47 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M24-80L/SOT1210/mLFPAK 1.490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

SMD/SMT N-Channel 80 V 35 A 19.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 175 C 67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002BKV/SOT666/SOT6 28.842En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002BKS/SOT363/SC-88 66.383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138P/SOT23/TO-236AB 249.459En existencias
189.000Se espera el 27-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 900 mV 720 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS84AK/SOT23/TO-236AB 718.246En existencias
2.439.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 180 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 260 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK 4.798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK768R1-40E/SOT404/D2PAK 2.559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K12-60E/SOT1205/LFPAK56D 3.507En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34.2 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K29-100E/SOT1205/LFPAK56D 9.265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 29.5 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K32-100E/SOT1205/LFPAK56D 8.741En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 29 A 21.5 mOhms, 21.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R2-40E/SOT1205/LFPAK56D 4.430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel