Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET STD80N340K6 STMicroelectronics 1: $5.252 2.338En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	2.338En existencias	Cinta cortada $5.252 $2.700 $2.449 $2.096 Envase tipo carrete $1.971 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	12 A	340 mOhms	10 V	3 V	17.8 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package STD80N450K6 STMicroelectronics 1: $5.036 765En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N450K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N450K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm std80n450k6 power mosfet	Hoja de datos	765En existencias	Cinta cortada $5.036 $2.575 $2.336 $1.982 Envase tipo carrete $1.857 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	450 mOhms	30 V	3 V	17.3 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package STD80N240K6 STMicroelectronics 1: $6.779 2.323En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm std80n240k6 800v power mosfet	Hoja de datos	2.323En existencias	Cinta cortada $6.779 $3.555 $3.247 $2.951 $2.780 Envase tipo carrete $2.780 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	800 V	16 A	220 Ohms	30 V	4 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	105 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N240K6 STMicroelectronics 1: $8.567 988En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	988En existencias	$8.567 $4.899 $4.124 $3.668 $3.293	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	16 A	220 mOhms	30 V	3.5 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N1K1K6 STMicroelectronics 1: $2.928 997En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF80N1K1K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N1K1K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	997En existencias	$2.928 $1.435 $1.276 $1.029 Ver $981 $947 $893	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5 A	1.1 Ohms	30 V	4 V	5.7 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N1K1K6 STMicroelectronics 1: $2.905 1.055En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N1K1K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N1K1K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n1k1k6 mosfet	Hoja de datos	1.055En existencias	$2.905 $1.424 $1.276 $1.020 Ver $968 $932 $882	Min.: 1 Mult.: 1	Si																Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N600K6 STMicroelectronics 1: $3.817 698En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N600K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N600K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro stp80n600k6 mosfet	Hoja de datos	698En existencias	$3.817 $2.244 $1.720 $1.413 Ver $1.356 $1.276	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	600 mOhms	30 V	4 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	86 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N600K6 STMicroelectronics 1: $4.147 19En existencias 2.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STF80N600K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N600K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	19En existencias 2.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STF80N600K6 Existencias: 19 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.000 Se espera el 23-04-2027 1.000 Se espera el 07-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	$4.147 $2.711	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	600 mOhms	30 V	4 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	23 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N240K6 STMicroelectronics 1: $8.100 48En existencias 1.000Se espera el 23-04-2027	N.º de artículo del Fabricante STP80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	48En existencias 1.000Se espera el 23-04-2027	$8.100 $4.671 $3.555 $3.110	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	220 mOhms	30 V	4 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N450K6 STMicroelectronics 1: $5.582 159En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N450K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N450K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n450k6 n channel power mosfet	Hoja de datos	159En existencias	$5.582 $2.894 $2.620 $2.165 Ver $2.073 $2.005 $1.982	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	450 mOhms							Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N340K6 STMicroelectronics 1.000: $2.392 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	$2.392	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3		1 Channel	800 V	12 A	340 mOhms	30 V	3.5 V		- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N900K6 STMicroelectronics 1.000: $1.109 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP80N900K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N900K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas	$1.109 $1.094	Min.: 1.000 Mult.: 1.000	Si	Through Hole	TO-220-3		1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	30 V	3.5 V	7 nC	- 55 C	+ 150 C	68 W	Enhancement		Tube

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

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