RD3U041AAFRATL
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Specification Sheets
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 1.648
-
Existencias:
-
1.648 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.503 | $2.503 | |
| $1.609 | $16.090 | |
| $1.094 | $109.400 | |
| $871 | $435.500 | |
| $826 | $826.000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| $736 | $1.840.000 | |
Chile

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