Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs deliver application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, AI, and more. The MOSFETs are available in hard-switching and soft-switching topologies. The hard-switching-optimized devices feature outstanding Miller ratios, FOMs, and R_DS(on). The MOSFETs optimized for soft switching offer ultra-low R_DS(on) and FOMQ_g.

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.218 11.597En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	11.597En existencias	Cinta cortada $5.218 $2.677 $2.427 $2.073 $1.994 Envase tipo carrete $1.948	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	PG-WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	440 A	460 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.104 14.203En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14.203En existencias	Cinta cortada $5.104 $2.609 $2.370 $2.017 $1.937 Envase tipo carrete $1.891	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.193 5.858En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5.858En existencias	Cinta cortada $4.193 $2.461 $1.914 $1.606 $1.538 Envase tipo carrete $1.401	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.990 5.736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5.736En existencias	Cinta cortada $4.990 $2.552 $2.313 $1.948 $1.880 Envase tipo carrete $1.834	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.201 4.805En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4.805En existencias	Cinta cortada $3.201 $1.686 $1.481 $1.230 Ver Envase tipo carrete $1.098 $1.185 $1.162 $1.098	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.087 4.897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4.897En existencias	Cinta cortada $3.087 $1.641 $1.447 $1.185 Ver Envase tipo carrete $1.057 $1.162 $1.138 $1.057	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.008 4.965En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH68NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4.965En existencias	Cinta cortada $3.008 $1.470 $1.322 $1.058 Ver Envase tipo carrete $924 $1.034 $990 $924	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.577 5.674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5.674En existencias	Cinta cortada $3.577 $1.777 $1.606 $1.299 Ver Envase tipo carrete $1.173 $1.276 $1.219 $1.173	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.632 4.923En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH84NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4.923En existencias	Cinta cortada $2.632 $1.287 $1.151 $913 Ver Envase tipo carrete $771 $883 $852 $771 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.799 17.950En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH42NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	17.950En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5.950 Se espera el 19-11-2026 6.000 Se espera el 26-11-2026 6.000 Se espera el 03-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $5.799 $2.996 $2.723 $2.347 $2.313 Envase tipo carrete $2.073	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	PG-WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	460 A		12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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