Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Resultados: 79
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
Hoja de datos
2.745En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
Hoja de datos
1.990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 33.5 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
Hoja de datos
2.550En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.5 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2.994En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
Hoja de datos
3.000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
3.000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8
Hoja de datos
2.922En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
Hoja de datos
2.995En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.7 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252
Hoja de datos
2.976En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
Hoja de datos
5.087En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
Hoja de datos
996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 72 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
Hoja de datos
748En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
Hoja de datos
227En existencias
4.000Se espera el 28-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
Hoja de datos
74En existencias
3.000Se espera el 08-12-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
Hoja de datos
2.390En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 75 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23
Hoja de datos
1.564En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 38 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 1.38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
Hoja de datos
2.400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
Hoja de datos
369En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 53 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
Hoja de datos
736En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.1 A, 8.7 A 20 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5 nC, 6 nC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S
Hoja de datos
2.521En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.4 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S
Hoja de datos
2.870En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S
Hoja de datos
3.000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89
Hoja de datos
909En existencias
2.000Se espera el 27-10-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000
: 1.000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.1 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
Hoja de datos
2.990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S
Hoja de datos
2.569En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel