Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: $8.834
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

478En existencias

$8.834

$4.796

$4.407

$4.017

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: $8.424
585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Obtenga más información

Hoja de datos

585En existencias

$8.424

$5.269

$4.533

$3.933

$3.555

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6
STMicroelectronics
1: $10.685
270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

270En existencias

$10.685

$7.320

$6.037

$5.879

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

25 V

3.25 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL45N60DM6
STMicroelectronics
1: $8.382
2.637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Obtenga más información

Hoja de datos

2.637En existencias

Cinta cortada

$8.382

$5.069

$4.333

$3.996

$3.691

Envase tipo carrete

$3.618

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

110 mOhms

25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N60DM6
STMicroelectronics
1: $5.122
1.197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1.197En existencias

$5.122

$3.386

$2.061

$1.946

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

STF26N60DM6
STMicroelectronics
1: $4.932
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$4.932

$2.577

$2.009

$1.861

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

195 mOhms

25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW75N60M6-4
STMicroelectronics
600: $6.373
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60M6-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$6.373

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA68N60M6
STMicroelectronics
1: $13.777
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STWA68N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA68N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$13.777

$10.401

$8.666

$7.719

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

41 mOhms

25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM6
STMicroelectronics
600: $4.775
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$4.775

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

42 mOhms

25 V

3.25 V

99 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

MDmesh

Tube

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte