Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

TK560P60Y,RQ
Toshiba
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TK560P60Y,RQ

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757-TK560P60YRQ

Toshiba

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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A

TK290P65Y,RQ
Toshiba
1: $3.544
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TK290P65Y,RQ

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757-TK290P65YRQ

Toshiba

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$2.303

$1.630

$1.388

Envase tipo carrete

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A

TK290A60Y,S4X
Toshiba
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$1.925

$1.683

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380P60Y,RQ
Toshiba
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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

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TK560P65Y,RQ
Toshiba
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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TK290A65Y,S4X
Toshiba
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$1.672

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK290P60Y,RQ
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

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+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

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TK560A65Y,S4X
Toshiba
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N-Channel

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7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

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Enhancement

DTMOSV

Tube

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N-Channel

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9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK380A65Y,S4X
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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TK380A65Y,S4X

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N-Channel

1 Channel

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9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380P65Y,RQ
Toshiba
2.000: $1.241
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

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TK380P65Y,RQ

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757-TK380P65YRQ

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Mult.: 2.000

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSV

Reel

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TK560A60Y,S4X
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

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TK560A60Y,S4X

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757-TK560A60YS4X

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$1.315

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N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

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4 V

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- 55 C

+ 150 C

30 W

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Tube

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