Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A TK290P65Y,RQ Toshiba 1: $3.184 3.372En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK290P65Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK290P65YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	3.372En existencias	Cinta cortada $3.184 $1.570 $1.416 $1.142 $1.072 Envase tipo carrete $1.013	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A TK560P60Y,RQ Toshiba 1: $2.361 1.900En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK560P60Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK560P60YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.900En existencias	Cinta cortada $2.361 $1.142 $1.021 $833 Envase tipo carrete $686 $674 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A TK560P65Y,RQ Toshiba 1: $2.613 1.353En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK560P65Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK560P65YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.353En existencias	Cinta cortada $2.613 $1.274 $1.142 $909 $862 Envase tipo carrete $774 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A TK290A60Y,S4X Toshiba 1: $3.426 1.038En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK290A60Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK290A60YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.038En existencias	$3.426 $1.592 $1.230 $1.097 $1.096	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A TK380P60Y,RQ Toshiba 1: $2.646 3.850En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK380P60Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK380P60YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	3.850En existencias	Cinta cortada $2.646 $1.296 $1.164 $921 $876 Envase tipo carrete $787	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A TK290A65Y,S4X Toshiba 1: $3.634 97En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK290A65Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK290A65YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	97En existencias	$3.634 $1.823 $1.757	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A TK290P60Y,RQ Toshiba 1: $3.008 626En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK290P60Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK290P60YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	626En existencias	Cinta cortada $3.008 $1.932 $1.318 $1.109 Envase tipo carrete $935 Ver $988 $889	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A TK560A65Y,S4X Toshiba 1: $3.711 177En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK560A65Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK560A65YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	177En existencias	$3.711 $1.834 $1.636 $1.405	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A TK380A60Y,S4X Toshiba 1: $3.074 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK380A60Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK380A60YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	$3.074 $1.976 $1.361 $1.098 Ver $1.029 $993 $966	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK380A65Y,S4X Toshiba 1: $3.459 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK380A65Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK380A65YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	$3.459 $2.229 $1.526 $1.241 Ver $1.153 $1.109 $1.087	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A TK380P65Y,RQ Toshiba 2.000: $935 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK380P65Y,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK380P65YRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Envase tipo carrete $935 $889	Min.: 2.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSV	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A TK560A60Y,S4X Toshiba 1: $2.855 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK560A60Y,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK560A60YS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	$2.855 $1.823 $1.241 $1.057 Ver $937 $886 $845	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube

DTMOSV Super Junction MOSFETs

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