HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

Resultados: 16
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
Hoja de datos
2.780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A 17.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN
Hoja de datos
2.972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.5 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.3 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 40 V 24 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 40 V 24 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.870En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 17 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.724En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 24 A 19.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.8 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 16.5 A, 18 A 46 mOhms, 44 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
4.646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 12 A 90 mOhms, 96 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
10.422En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 8 A, 8.5 A 193 mOhms, 273 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC, 19.7 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
9.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 40 V 12 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
6.572En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 60 V 10 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
3.755En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
5.978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 7 A 193 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Hoja de datos
5.917En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 13 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel