OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs are optimized for hot-swap and e-fuse applications, offering exceptional performance with very low on-resistance RDS(on) and a wide safe operating area (SOA). These N-channel, normal-level MOSFETs are 100% avalanche-tested for reliability and feature Pb-free lead plating, ensuring RoHS compliance. Additionally, the MOSFETs are halogen-free by IEC61249-2-21 standards, making them eco-friendly for demanding applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 682En existencias
2.000Se espera el 22-10-2026
Cinta cortada
$7.290
$3.865
$3.535
$3.294
$3.173
Envase tipo carrete
$3.107
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
14.339En pedido
Cinta cortada
$11.364
$6.291
$5.929
Envase tipo carrete
$5.534
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
23.300En pedido
Cinta cortada
$9.201
$4.996
$4.589
$4.491
Envase tipo carrete
$4.194
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel