MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte 1.841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 2.731En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 375 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET 269En existencias
1.000Se espera el 21-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 4.265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 2.355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 5.798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 1.150En existencias
2.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 705En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 1.279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected 3.722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 3 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3.461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 11.922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5 5.921En existencias
2.500Se espera el 04-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5 3.146En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag 1.041En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29.7 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5 3.777En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 849En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i 5.543En existencias
10.000Se espera el 02-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 1.5 A 10 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1.972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 351En existencias
1.800Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 454En existencias
600Se espera el 21-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 47 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1.075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge 579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 14 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube