Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: $1.032 7.805En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7.805En existencias	Cinta cortada $1.032 $473 $418 $321 Envase tipo carrete $246 Ver $306 $213 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies 1: $1.263 2.317En existencias 12.000Se espera el 15-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6242TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6242TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon pqfn hexfet	Hoja de datos	2.317En existencias 12.000Se espera el 15-10-2026	Cinta cortada $1.263 $529 $472 $370 Envase tipo carrete $264 $257 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	1 Channel	20 V	22 A	11.7 mOhms	12 V	1.1 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	9.6 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: $911 31.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	31.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 19.000 Se espera el 04-03-2027 12.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada $911 $429 $380 $293 Envase tipo carrete $217 Ver $287 $262 $203 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

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