Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 7.874En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 21 mOhms, 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 8.634En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 6.3 mOhms, 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L 5.708En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A, 60 A 4.5 mOhms, 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified 2.799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A, 54 A 15.5 mOhms, 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC, 25 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L 17.334En existencias
66.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 18 A, 30 A 12 mOhms, 52.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 2.5 V 30 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified 9.099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 29.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified 1.227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 80 V 36 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified 7.284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 780 mA 200 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 1.2 nC - 55 C + 175 C 430 mW Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified 1.816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23.5 A 28 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 18.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK 1.429En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 350 A 1.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified 1.908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 20 V 20 A, 60 A 7.4 mOhms, 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC, 43 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 1.471En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 5.8 mOhms, 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified 458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1.496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified 2.316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 100 V 17 A, 34 A 32.5 mOhms, 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC, 30 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified 2.001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
3.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 12 V 20 A, 60 A 3 mOhms, 8.3 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 20 nC, 50 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK 3.000En existencias
6.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 P-Channel 1 Channel 30 V 16 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
9.000Se espera el 19-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
2.640Se espera el 02-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 12 V 20 A, 60 A 5.2 mOhms, 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC, 54 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 350 A 1.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel