SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3 525En existencias
$12.165
$7.148
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 61MOHM FOR 3.000En existencias
Cinta cortada
$9.980
$6.335
$5.391
Envase tipo carrete
$5.391
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3.000
Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK 2.322En existencias
Cinta cortada
$3.821
$1.921
$1.735
$1.405
$1.394
Envase tipo carrete
$1.296
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3 738En existencias
$7.927
$4.282
$3.964
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
449Se espera el 16-02-2027
$8.663
$4.611
$4.458
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube