Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
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20.783En existencias
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: 15.000

Si SMD/SMT DFN-0603-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.3 A 210 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
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560En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
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243En existencias
3.000Se espera el 11-06-2027
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT1220-2-6 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
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1.757En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.9 A 37 mOhms 12 V 900 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
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22.608En existencias
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Min.: 1
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: 15.000

Si SMD/SMT DFN-0603-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 160 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
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864En existencias
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Min.: 1
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: 15.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 820 mA 250 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
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8.766En existencias
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Min.: 1
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: 15.000

Si SMD/SMT DFN-0603-3 P-Channel 1 Channel 20 V 900 mA 500 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3
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29.794En pedido
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: 10.000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 260 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 400 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX138AKM/SOT883/XQFN3
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39.498En pedido
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Min.: 1
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: 10.000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 400 pC - 55 C + 150 C 648 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB290UNE/SOT1216/DFN1010B-6
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10.000Se espera el 07-07-2027
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: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010B-6 N-Channel 2 Channel 20 V 930 mA 320 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 600 pC - 55 C + 150 C 370 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB590UPE/SOT1216/DFN1010B-6
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9.987Se espera el 07-07-2027
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT DFN-1010B-6 P-Channel 2 Channel 20 V 2.3 A 770 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 600 pC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB10R3XN/SOT1220-2/DFN2020M-
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6.000Se espera el 30-07-2027
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.9 A 12.2 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB12R7EP/SOT1220-2/DFN2020M-
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5.900En pedido
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12.3 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel