Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.813
4.026En existencias
3.600Se espera el 29-04-2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4.026En existencias

3.600Se espera el 29-04-2027

Cinta cortada

$8.813

$4.775

$4.386

$4.291

$4.060

Envase tipo carrete

$4.060

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.099
4.029En existencias
4.000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB095N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4.029En existencias

4.000En pedido

Cinta cortada

$7.099

$4.133

$3.429

$3.050

Envase tipo carrete

$2.734

$2.724

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.543
1.966En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB175N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.966En existencias

Cinta cortada

$4.543

$2.324

$2.103

$1.767

Envase tipo carrete

$1.672

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $5.279
835En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

835En existencias

$5.279

$2.734

$2.482

$2.293

$2.040

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.344
7.707En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

7.707En existencias

Cinta cortada

$3.344

$1.662

$1.504

$1.220

Ver

Envase tipo carrete

$1.094

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $7.930
6.444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

6.444En existencias

$7.930

$4.259

$3.902

$3.481

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.613
3.401En existencias
1.800Se espera el 12-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

3.401En existencias

1.800Se espera el 12-10-2026

Cinta cortada

$8.613

$4.659

$4.280

$4.165

Envase tipo carrete

$3.933

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.807
8.468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

8.468En existencias

Cinta cortada

$3.807

$1.914

$1.735

$1.409

Envase tipo carrete

$1.315

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.697
1.011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.011En existencias

Cinta cortada

$8.697

$4.712

$4.333

$4.228

Envase tipo carrete

$4.228

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $3.492
2.299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

2.299En existencias

$3.492

$1.746

$1.578

$1.262

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.342
1.721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.721En existencias

Cinta cortada

$6.342

$4.238

$3.786

Envase tipo carrete

$2.619

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.268
5.359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

5.359En existencias

Cinta cortada

$6.268

$4.186

$3.008

$2.734

Envase tipo carrete

$2.734

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 5.000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $4.301
332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP175N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP175N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

332En existencias

$4.301

$2.188

$1.967

$1.609

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.377
6.758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

6.758En existencias

Cinta cortada

$2.377

$1.157

$1.031

$820

Ver

Envase tipo carrete

$690

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.258
294En existencias
1.000Se espera el 12-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

294En existencias

1.000Se espera el 12-10-2026

Cinta cortada

$6.258

$3.292

$2.997

$2.724

Envase tipo carrete

$2.566

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.889
9.880Se espera el 28-01-2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

9.880Se espera el 28-01-2027

Cinta cortada

$5.889

$3.702

$2.913

$2.450

$2.272

Envase tipo carrete

$1.956

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $6.173
4.489Se espera el 09-10-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4.489Se espera el 09-10-2026

$6.173

$3.250

$2.903

$2.514

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte