CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Resultados: 25
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 2.195En existencias
Cinta cortada
$21.863
$12.794
$11.917
$11.871
Envase tipo carrete
$11.871
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1.799En existencias
Cinta cortada
$9.445
$5.115
$4.694
$4.329
Envase tipo carrete
$4.329
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1.795En existencias
Cinta cortada
$8.043
$4.295
$3.931
$3.498
Envase tipo carrete
$3.498
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 459En existencias
$21.829
$12.954
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 700En existencias
240Se espera el 02-09-2027
$13.751
$7.758
$7.177
$6.836
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 430En existencias
$10.880
$5.844
$5.389
$5.229
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 458En existencias
$22.341
$13.341
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 225En existencias
$17.944
$10.151
$10.060
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 435En existencias
$13.649
$7.496
$6.950
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2.243En existencias
Cinta cortada
$20.644
$12.737
$12.726
$12.054
Envase tipo carrete
$12.054
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 223En existencias
3.600Se espera el 10-12-2026
Cinta cortada
$12.122
$7.895
$6.972
$6.209
$5.879
Envase tipo carrete
$5.879
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 157En existencias
$17.545
$9.900
$9.764
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 29En existencias
240Se espera el 05-08-2027
$9.467
$5.013
$4.614
$4.352
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 216En existencias
$11.131
$5.993
$5.525
$5.389
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 195En existencias
$9.684
$5.138
$4.728
$4.477
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 442En existencias
Cinta cortada
$21.361
$13.307
Envase tipo carrete
$12.600
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 909En existencias
Cinta cortada
$16.816
$9.775
Envase tipo carrete
$9.251
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 636En existencias
Cinta cortada
$12.783
$7.132
$6.881
$6.585
Envase tipo carrete
$6.460
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 946En existencias
Cinta cortada
$10.128
$5.525
$5.081
Envase tipo carrete
$4.751
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 769En existencias
Cinta cortada
$8.807
$4.739
$4.352
$4.181
Envase tipo carrete
$3.953
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 266En existencias
Cinta cortada
$16.087
$10.914
$9.775
$9.148
$8.658
Envase tipo carrete
$8.658
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.329En existencias
Cinta cortada
$12.133
$6.733
$6.380
$6.038
Envase tipo carrete
$6.038
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.950En existencias
Cinta cortada
$9.433
$5.104
$4.694
$4.580
$4.329
Envase tipo carrete
$4.329
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.481En existencias
Cinta cortada
$8.203
$4.386
$4.022
$3.805
$3.543
Envase tipo carrete
$3.543
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1.800Se espera el 19-11-2026
Cinta cortada
$15.973
$9.137
$8.875
Envase tipo carrete
$8.533
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel