CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
209En existencias
1.800Se espera el 15-10-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.758En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.799En existencias
Min.: 1
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: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
244En existencias
240Se espera el 08-10-2026
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.253En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
223En existencias
3.600Se espera el 29-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

MOSFETs SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
169En existencias
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
60En existencias
720Se espera el 01-10-2026
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
200En existencias
240Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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178En existencias
240Se espera el 17-06-2027
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
195En existencias
240Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
195En existencias
Min.: 1
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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909En existencias
Min.: 1
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: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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958En existencias
Min.: 1
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: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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266En existencias
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SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.333En existencias
Min.: 1
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: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.493En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8 N-Channel