GaNEXUS™ GaN FETs

onsemi GaNEXUS™ Gallium Nitride Field-Effect Transistors (GaN FETs) use wide-bandgap material properties of GaN to deliver fast switching, low gate and output charge, and enhanced efficiency compared to silicon power transistors. These features enable higher operating frequencies, increased power density, and reduced magnetics in power conversion applications across low-, medium-, high-, and ultra-high voltages. The enhancement-mode discrete GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer a voltage range from 40V to 650V, including 650V GaNEXUS Smart GaN FETs with integrated protections to improve reliability and simplify system integration. Ideal applications for the onsemi GaNEXUS family include industrial automation, robotics, AI data centers, automotive electrification, and energy infrastructure.

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Tecnología
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 75m, DPAK
Hoja de datos
2.440En existencias
Cinta cortada
$3.162
$2.031
$1.383
Envase tipo carrete
$1.383
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 250
SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 75m, 8x8
Hoja de datos
2.463En existencias
Cinta cortada
$3.283
$2.119
$1.460
Envase tipo carrete
$1.460
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 246
: 250
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V,101m, 8x8
Hoja de datos
2.472En existencias
Cinta cortada
$2.997
$1.932
$1.329
Envase tipo carrete
$1.329
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 248
: 250
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, 8x8
Hoja de datos
2.500En existencias
Cinta cortada
$1.669
$1.109
$919
Envase tipo carrete
$919
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 250
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, DPAK
Hoja de datos
2.488En existencias
Cinta cortada
$2.251
$1.438
$967
Envase tipo carrete
$967
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 249
: 250
SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 650V, 35MR LGAN TOLL
Hoja de datos
2.400Se espera el 26-10-2026
Cinta cortada
$16.645
$9.816
Envase tipo carrete
$9.212
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement GaN
onsemi GaN FETs 650V, 35MR LGAN TOLT
Hoja de datos
2.400Se espera el 09-04-2027
Cinta cortada
$16.645
$9.816
Envase tipo carrete
$9.212
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 462 W Enhancement GaN
onsemi GaN FETs 650V, 50MR LGAN TOLL
Hoja de datos
2.400Se espera el 26-10-2026
Cinta cortada
$12.517
$9.058
$7.543
$6.719
Envase tipo carrete
$5.709
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement GaN
onsemi GaN FETs 650V, 50MR LGAN TOLT
Hoja de datos
2.400Se espera el 26-10-2026
Cinta cortada
$12.517
$9.058
$7.543
$6.719
Envase tipo carrete
$5.808
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement GaN
onsemi GaN FETs GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
Hoja de datos
2.500Se espera el 30-10-2026
Cinta cortada
$6.214
$4.073
$2.997
Envase tipo carrete
$2.997
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2.500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 183 A 2.7 mOhms - 4 V to 6 V 2.1 V 7.3 nC - 40 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
Hoja de datos
2.500Se espera el 27-11-2026
Cinta cortada
$4.436
$2.910
$2.163
Envase tipo carrete
$2.163
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2.500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 3.8 mOhms - 4 V to 6 V 5.2 nC - 40 C + 150 C 208 W Enhancement GaNEXUS GaN