600V Super Junction (SJ) MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V Super Junction (SJ) MOSFETs are designed to meet the increasing demand for smaller, more efficient power supplies across a wide range of applications. These SJ MOSFETs are designed for the R60xxXNx series and PrestoMOS™ R60xxWNx series as new 600V SJ MOSFETs. The compact, low-profile SJ package options provide excellent heat dissipation, ideal for applications that require space savings and higher power density, including power supplies for AI servers and industrial equipment.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 154m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$1.416
$1.350
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 127m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$1.383
$1.318
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 95m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$1.834
$1.768
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 5 V 46 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 80m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$2.251
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 68m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$2.536
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms 30 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 57m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Envase tipo carrete
$3.491
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 69 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement Reel