DMTH6005 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH6005 N-channel Enhance Mode MOSFETs minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The DMTH6005 MOSFETs offer a maximum of 5.5mΩ @ VGS = 10V RDS(ON), a drain-source breakdown voltage of 60V, and 100% unclamped inductive switching. Rated at 175ºC, these MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments. DMTH6005LPSQ is automotive qualified to AEC-Q101 and supports PPAP. Applications for the DMTH6005 MOSFETs include high-frequency switching, synchronous rectification, and DC-DC converters.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 5.046En existencias
Cinta cortada
$2.097
$1.030
$871
$707
Envase tipo carrete
$550
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 23En existencias
$2.372
$1.493
$859
$729
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 509En existencias
2.500Se espera el 30-07-2027
Cinta cortada
$2.405
$1.350
$1.020
Envase tipo carrete
$1.020
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1.864En existencias
Cinta cortada
$2.394
$1.219
$1.023
$829
Envase tipo carrete
$682
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1.803En existencias
Cinta cortada
$2.734
$1.350
$1.175
$945
Envase tipo carrete
$791
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel