Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
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5En existencias
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NTMFS4D0N08XT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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5En existencias

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Cinta cortada

$2.282

$1.451

$979

$793

$711

Envase tipo carrete

$711

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: $1.946
4.183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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4.183En existencias

Cinta cortada

$1.946

$1.220

$803

$637

$567

Envase tipo carrete

$567

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: $3.124
155En existencias
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863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

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155En existencias

10.280En pedido

Cinta cortada

$3.124

$2.009

$1.388

$1.125

$1.041

Envase tipo carrete

$1.003

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
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16.500Se espera el 05-01-2028

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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113En existencias

16.500Se espera el 05-01-2028

Cinta cortada

$4.028

$2.619

$1.830

$1.535

$1.430

Envase tipo carrete

$1.430

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: $3.649
125En existencias
4.500Se espera el 18-06-2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

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863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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4.500Se espera el 18-06-2027

Cinta cortada

$3.649

$2.377

$1.662

$1.388

$1.294

Envase tipo carrete

$1.294

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: $2.997
171En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

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863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

$2.997

$1.925

$1.315

$1.115

$881

Envase tipo carrete

$881

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Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
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122En existencias
43.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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122En existencias

43.500En pedido

Cinta cortada

$3.734

$2.429

$1.704

$1.430

$1.241

Envase tipo carrete

$1.241

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
1: $5.416
1.955En existencias

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NTMFS3D2N10MDT1G

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863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

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1.955En existencias

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$5.416

$3.544

$2.650

$2.219

$2.051

Envase tipo carrete

$2.051

MouseReel Disponible

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: 1.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: $2.598
9.293En existencias

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NTTFS012N10MDTAG

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863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

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$2.598

$1.662

$1.136

$962

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$807

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: $2.671
17En existencias
3.000Se espera el 06-10-2026

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NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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17En existencias

3.000Se espera el 06-10-2026

Cinta cortada

$2.671

$1.714

$1.167

$992

$878

Envase tipo carrete

$878

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.408
62En existencias
6.000Se espera el 04-06-2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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62En existencias

6.000Se espera el 04-06-2027

Cinta cortada

$2.408

$1.535

$1.030

$834

$748

Envase tipo carrete

$748

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: $3.334
5En existencias
16.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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5En existencias

16.500En pedido

Cinta cortada

$3.334

$2.166

$1.493

$1.252

Envase tipo carrete

$1.252

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $2.009
26En existencias
1.500Se espera el 10-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1.500Se espera el 10-08-2026

Cinta cortada

$2.009

$1.241

$820

$645

$551

Envase tipo carrete

$551

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: $8.792
33.473En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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33.473En pedido

Cinta cortada

$8.792

$6.194

$5.006

$4.449

$3.944

Envase tipo carrete

$3.944

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000

: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $4.438
13.380En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

13.380En pedido

Cinta cortada

$4.438

$2.903

$2.166

Envase tipo carrete

$2.166

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470

: 1.500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: $4.386
5.907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Hoja de datos

5.907En pedido

Cinta cortada

$4.386

$2.871

$2.145

Envase tipo carrete

$2.145

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $2.703
5.897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

5.897En pedido

Cinta cortada

$2.703

$1.714

$1.157

Envase tipo carrete

$1.157

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: $4.038
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

$4.038

$2.629

$1.851

$1.546

$1.346

Envase tipo carrete

$1.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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