DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W 462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2.381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2.406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 43.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 3.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2.305En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.9 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A 2.466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2.341En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 98.4 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2.363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A 1.149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 1.718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33.2 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2.221En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A 1.502En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3.370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 4.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1.763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2.515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2.370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V 6.836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 68.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 4.578En existencias
7.500Se espera el 15-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2.710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 3.721En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel