Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.945 5.738En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6R025BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R025BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	5.738En existencias	Cinta cortada $2.945 $1.462 $1.304 $1.050 $983 Envase tipo carrete $930	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	25 A	60 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.892 4.914En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6P040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6P040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	4.914En existencias	Cinta cortada $2.892 $1.430 $1.283 $1.028 $995 Envase tipo carrete $892 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	15.6 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.619 3.000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3.000En existencias	Cinta cortada $2.619 $1.273 $1.146 $914 $887 Envase tipo carrete $786	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.5 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A RH6R040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.377 2.970En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6R040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.970En existencias	Cinta cortada $2.377 $1.157 $1.031 $820 $791 Envase tipo carrete $690	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	40 A	38 mOhms	20 V	4 V	11.3 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CGTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.261 1.668En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CGTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1.668En existencias	Cinta cortada $2.261 $1.094 $978 $777 $745 Envase tipo carrete $646	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.4 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.514 2.680En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6E040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6E040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.680En existencias	Cinta cortada $2.514 $1.220 $1.094 $873 $848 Envase tipo carrete $744	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	2.9 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.577 2.819En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6N040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6N040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.819En existencias	Cinta cortada $2.577 $1.262 $1.136 $900 $872 Envase tipo carrete $772	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	80 V	65 A	8.3 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $3.145 3.011En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6L040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6L040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3.011En existencias	Cinta cortada $3.145 $1.557 $1.409 $1.136 $1.104 Envase tipo carrete $1.015 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	60 V	65 A	7.1 mOhms	20 V	2.5 V	18.8 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.945 1.675En existencias 3.000Se espera el 16-03-2027	N.º de artículo del Fabricante RH6G040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1.675En existencias 3.000Se espera el 16-03-2027	Cinta cortada $2.945 $1.672 $1.294 $1.094 $1.010 Envase tipo carrete $879 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	95 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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