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STL120N10F8

Name: STMicroelectronics STL120N10F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL120N10F8
Price: 3041 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL120N10F8

Fabricante N.º:

STL120N10F8

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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Hoja de datos:

STL120N10F8 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	125 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	STripFET F8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	76 mg

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapur
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STL120N10F8 100V N-Channel STripFET MOSFET

STMicroelectronics STL120N10F8 100V N-Channel Enhancement Mode STripFET MOSFET utilizes ST's STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching. The STMicroelectronics STL120N10F8 is ideal for switching applications.

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Existencias:: 405

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6.000

Se espera el 04-12-2026
Plazo de entrega de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.041	$3.041
	$1.504	$15.040
	$1.405	$140.500
	$1.080	$540.000
	$1.063	$1.063.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$953	$2.859.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

STL120N10F8

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8 Complete su diseño

Especificaciones

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