Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

TK099V65Z,LQ
Toshiba
1: $6.825
7.251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK099V65Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK099V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

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Cinta cortada

$6.825

$3.607

$3.302

$3.060

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Envase tipo carrete

$2.966

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

TK10P50W,RQ
Toshiba
1: $3.218
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10P50W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P50WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

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Cinta cortada

$3.218

$1.578

$1.420

$1.178

Envase tipo carrete

$1.178

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

430 mOhms

30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

TK090N65Z,S1F
Toshiba
1: $8.824
2En existencias

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TK090N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

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Cinta cortada

$8.824

$4.627

Envase tipo carrete

$4.627

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK110U65Z,RQ
Toshiba
1: $6.131
3.792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK110U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

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Cinta cortada

$6.131

$3.092

$2.608

$2.461

Envase tipo carrete

$2.461

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

86 mOhms

30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK190U65Z,RQ
Toshiba
1: $4.417
1.974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK190U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

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1.974En existencias

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$4.417

$2.114

$1.956

Envase tipo carrete

$1.578

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

149 mOhms

30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: $7.456
1.035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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1.035En existencias

Cinta cortada

$7.456

$3.681

$2.966

Envase tipo carrete

$2.966

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

TK040N65Z,S1F
Toshiba
1: $13.924
2.017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK040N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

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Hoja de datos

2.017En existencias

$13.924

$9.823

$7.120

$7.109

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

30 V

3 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

TK10E80W,S1X
Toshiba
1: $4.543
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

90En existencias

$4.543

$2.387

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

550 mOhms

20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

TK065N65Z,S1F
Toshiba
1: $9.318
458Se espera el 15-01-2027

N.º de artículo del Fabricante
TK065N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK065N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

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Hoja de datos

458Se espera el 15-01-2027

Cinta cortada

$9.318

$6.342

Envase tipo carrete

$6.342

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

65 mOhms

30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

TK065U65Z,RQ
Toshiba
1: $9.602
4.000Se espera el 18-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK065U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK065U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

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Hoja de datos

4.000Se espera el 18-12-2026

Cinta cortada

$9.602

$5.858

$5.080

$4.596

$4.070

Envase tipo carrete

$3.681

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

51 mOhms

30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK090A65Z,S4X
Toshiba
1: $8.371
49Se espera el 09-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK090A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK090A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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Hoja de datos

49Se espera el 09-10-2026

$8.371

$4.575

$4.186

$3.586

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $7.088
59Se espera el 18-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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Hoja de datos

59Se espera el 18-09-2026

$7.088

$4.407

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

TK040Z65Z,S1F
Toshiba
1: $17.195
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK040Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$17.195

$10.002

Envase tipo carrete

$10.002

$9.286

$9.139

Min.: 1
Mult.: 1

: 25

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

30 V

4 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

TK090Z65Z,S1F
Toshiba
1: $11.527
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK090Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$11.527

$7.004

$5.910

$5.711

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

TK095N65Z5,S1F
Toshiba
1: $7.804
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK095N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK095N65Z5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$7.804

$5.216

$4.196

$3.723

$3.302

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

30 V

4.5 V

50 nC

+ 150 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK155U65Z,RQ
Toshiba
1: $4.596
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK155U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK155U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$4.596

$3.944

$3.471

$3.208

Envase tipo carrete

$1.904

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

122 mOhms

30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

DTMOSVI MOSFETs

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