Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

TK3P80E,RQ
Toshiba
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3.129En existencias

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757-TK3P80ERQ

Toshiba

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Cinta cortada

$1.935

$1.199

$786

$617

Envase tipo carrete

$499

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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

4.9 Ohms

30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

TK2P90E,RQ
Toshiba
1: $2.198
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TK2P90E,RQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

$2.198

$1.051

$938

$742

Envase tipo carrete

$615

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2 A

5.9 Ohms

30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

TK9J90E,S1E
Toshiba
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TK9J90E,S1E

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Toshiba

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$4.596

$2.335

$2.114

$1.756

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Through Hole

TO-3P

N-Channel

1 Channel

900 V

9 A

1.3 Ohms

30 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

TK10A80E,S4X
Toshiba
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$1.472

$1.462

$1.367

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN

TK10J80E,S1E
Toshiba
1: $4.638
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125Se espera el 15-01-2027

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Toshiba

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$4.638

$2.166

$1.925

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

700 mOhms

30 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MOSVIII

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK3A90E,S4X
Toshiba
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Toshiba

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$799

$798

$625

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.5 A

4.6 Ohms

30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK4A80E,S4X
Toshiba
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TK4A80E,S4X

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757-TK4A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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$813

$812

$625

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

3.5 Ohms

30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

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35 W

Enhancement

MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS

TK6A80E,S4X
Toshiba
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TK6A80E,S4X

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757-TK6A80ES4X

Toshiba

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.35 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

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MOSVIII

Tube

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TK7A90E,S4X
Toshiba
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TK7A90E,S4X

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757-TK7A90ES4X

Toshiba

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$1.125

$1.115

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

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MOSVIII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

TK7J90E,S1E
Toshiba
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TK7J90E,S1E

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757-TK7J90ES1E

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

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$1.861

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Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

1.6 Ohms

30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

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TK9A90E,S4X
Toshiba
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TK9A90E,S4X

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757-TK9A90ES4X

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9 A

1 Ohms

30 V

4 V

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