Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Hoja de datos
2.419En existencias
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Min.: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 240 V 350 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
31.694En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
7.985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms - 20 V, 20 V 2.7 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
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10.187En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
9.253En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
Hoja de datos
8.915En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 55 V 540 mA 346 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Hoja de datos
989En existencias
150.000En pedido
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
Hoja de datos
1.501En existencias
198.000En pedido
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-323-3
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2.038En existencias
12.000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 200
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Hoja de datos
19.361En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
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1.559En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.7 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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13.133En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
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1.659En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -330mA SOT-23-3
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908En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.38 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6
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16En existencias
21.000En pedido
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 131 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 560 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Hoja de datos
134.282Se espera el 03-12-2026
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Min.: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Hoja de datos
419.475Se espera el 21-09-2026
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
Hoja de datos
43.636En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 172 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
Hoja de datos
66.970En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 240 V 350 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
244.992En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
Hoja de datos
75En existencias
36.000Se espera el 15-01-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 550 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
Hoja de datos
8.785En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 110 mA 7.7 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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Comentarios de Producto
3En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
Hoja de datos
30.000Se espera el 21-09-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 390 mA 700 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4.5A TSOP-6
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.5 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel