Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
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: 1.000

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