40V TrenchT4 Power MOSFETs

IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs are easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages. The series offers high current handling capability and 175°C maximum operating temperature. These avalanche-rated MOSFETs feature low RDS(on) and a fast intrinsic rectifier. Typical applications for IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs include synchronous buck converters, high current switching power supplies, battery-powered electric motors, resonant-mode power supplies, DC-DC converters, offline uninterruptible power supplies (UPS), primary-side switches, and much more.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
$6.847
$4.489
$3.338
$2.791
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
$7.417
$4.865
$3.566
$3.179
$2.860
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
$7.417
$4.865
$3.566
$3.179
$2.860
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
$7.804
$5.115
$3.760
$3.338
$3.008
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
$8.260
$5.525
$4.432
$3.942
$3.543
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
$6.437
$4.215
$3.133
$2.620
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
$5.480
$3.589
$2.666
$2.233
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
$6.779
$4.443
$3.258
$2.905
$2.575
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
$15.198
$11.324
$9.433
$8.408
$7.975
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube