Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
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Toshiba

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160 A

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3 V

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205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

120 A

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- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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375 W

Enhancement

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TPW1R104PB,L1XHQ
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N-Channel

1 Channel

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55 nC

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AEC-Q101

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TPWR7904PB,L1XHQ
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DSOP-Advance-8

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1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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AEC-Q101

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TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
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SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

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TPH1R104PB,L1XHQ
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120 A

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TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
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SOP-8

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320 A

610 uOhms

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81 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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TPH1R204PL1,LQ
Toshiba
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TPH1R204PL1,LQ

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270 A

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2.4 V

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170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TPH1R306PL1,LQ
Toshiba
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TPH1R306PL1,LQ

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757-TPH1R306PL1LQ

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1 Channel

60 V

280 A

1 mOhms

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2.5 V

91 nC

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210 W

Enhancement

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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba
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TPHR6503PL1,LQ

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SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

420 A

410 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

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TPHR7904PB,L1XHQ
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SOP-Advance-8

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1 Channel

40 V

150 A

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- 20 V, 20 V

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85 nC

+ 175 C

170 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.59mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)

XPMR5904PB,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

478 A

0.59 mOhms

20 V

3 V

61 nC

+ 175 C

272 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)

XPMR7404PB,LXHQ
Toshiba
1: $3.344
5.000Se espera el 03-08-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XPMR7404PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPMR7404PBLXHQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.74mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(EWF)

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5.000Se espera el 03-08-2026

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$3.344

$2.156

$1.483

$1.209

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$970

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

0.74 mOhms

20 V

3 V

107 nC

+ 175 C

254 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL

XPJ1R504PB,LXHQ
Toshiba
1: $2.997
1.500Se espera el 31-07-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XPJ1R504PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPJ1R504PBLXHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.54mOhm N-ch MOSFET AEC-Q S-TOGL

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Cinta cortada

$2.997

$1.935

$1.325

$1.083

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$963

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: 1.500

SMD/SMT

S-TOGL-6

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.54 mOhms

20 V

3 V

61 nC

+ 175 C

197 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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