Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Resultados: 20
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E MOSFETs de SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade 290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E MOSFETs de SiC 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Hoja de datos
600Se espera el 18-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300Se espera el 18-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E MOSFETs de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Se espera el 18-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V

APC-E MOSFETs de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Se espera el 18-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C